SEMI-CONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A THIN SEMI-CONDUCTOR CHIP AND A FIRM WIRING SUBSTRATE, AND METHOD FOR THE PRODUCTION AND RE-PROCESSING OF THIN SEMI-CONDUCTOR CHIPS

摘要

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil (13) mit einem dünnen Halbleiterchip (1) und ein Verfahren zur Herstellung und Weiterverarbeitung derart dünner Halbleiterchips (1). Das Halbleiterbauteil (13) weist neben dem dünnen Halbleiterchip (1) ein Verdrahtungssubstrat (2) auf, das auf seiner Oberseite (5) den Halbleiterchip (1) trägt und auf seiner Unterseite (6) und/oder seinen Randseiten (27, 28) Außenkontakte (3) aufweist. Der Halbleiterchip (1) ist aus monokristallinem Silizium einer Dicke d <= 25µm; hergestellt.