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发明名称 A VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND A DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20050091886(A) 申请公布日期 2005.09.15
申请号 KR20040052917 申请日期 2004.07.08
申请人 SAMSUNG SDI CO., LTD. 发明人 REDECKER MICHAEL;FISCHER JOERG;MATHEA ARTHUR
分类号 H01L21/335;H01L51/00;H01L51/40;H05B33/00;(IPC1-7):H01L21/335 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
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