发明名称 |
Semiconductor device |
摘要 |
A semiconductor device can include a channel including a first binary oxide and a second binary oxide.
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申请公布号 |
US2005199879(A1) |
申请公布日期 |
2005.09.15 |
申请号 |
US20040799318 |
申请日期 |
2004.03.12 |
申请人 |
HOFFMAN RANDY L.;MARDILOVICH PETER P.;HERMAN GREGORY S. |
发明人 |
HOFFMAN RANDY L.;MARDILOVICH PETER P.;HERMAN GREGORY S. |
分类号 |
H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/04 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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