| 发明名称 |
Higher flip threshold structure for in-stack bias layer |
| 摘要 |
A magnetoresistive sensor having an in stack bias layer extending beyond the track width of the sensor for improved free layer stability and resistance against amplitude flipping.
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| 申请公布号 |
US2005201024(A1) |
申请公布日期 |
2005.09.15 |
| 申请号 |
US20040800465 |
申请日期 |
2004.03.15 |
| 申请人 |
HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES |
发明人 |
GILL HARDAYAL S. |
| 分类号 |
G11B5/127;G11B5/33;(IPC1-7):G11B5/33 |
主分类号 |
G11B5/127 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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