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Vorgestellt wird ein MOS-Transistor (12) mit einem Source-Gebiet (20), einem Gate-Bereich (22), einem Drain-Gebiet (24) und einer Driftregion (26, 28) in einem SOI-Wafer (10), wobei der SOI-Wafer (10) eine Trägerschicht (14) aufweist, die eine isolierende Zwischenschicht (16) trägt und wobei die isolierende Zwischenschicht eine aktive Halbleiterschicht (18) trägt, in der lateral unterschiedliche Dotierstoffkonzentrationen das Source-Gebiet (20), die Driftregion (26, 28) und den Drain-Bereich (24) definieren, und wobei die aktive Halbleiterschicht (18) zumindest in einem Teil der Driftregion (26, 28) dicker ist als im Source-Gebiet (20). Der MOS-Transistor (12) zeichnet sich dadurch aus, dass die aktive Halbleiterschicht (18) in vertikaler Richtung vollständig durch die isolierende Zwischenschicht (16) von der Trägerschicht (18) getrennt ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Transistors vorgestellt.
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