| 摘要 |
Bei einem Hochvolt-PMOS-Transistor mit einer isolierten Gate-Elektrode (18), einer p-leitenden Source (15) in einer n-leitenden Wanne (11), einem p-leitenden Drain (14) in einer p-leitenden Wanne (12), die in der n-Wanne angeordnet ist, und mit einem Feldoxidbereich (13) zwischen Gate-Elektrode und Drain, ist die Tiefe (A'-B') der n-leitenden Wanne unterhalb des Drains (14) geringer als unterhalb der Source (15) und die Tiefe (A'-C') der p-leitenden Wanne ist unterhalb des Drains (14) am größten.
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