半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件及其制造方法，其在半绝缘性基板(100)上依次形成第一集电极层(101)、第二集电极层(102)、基极层(103)、第一发射极层(104)及第二发射极层(105)。形成第二发射极层(105)图形后，对第二集电极层(102)的第二发射极层(105)的外侧区域注入离子，而形成非活性化区域(109)。对第二发射极层(105)进行侧面蚀刻，由此分离第二发射极层的一端和非活性化区域的一端，并且在第一发射极层(104)的第二发射极层(105)端与非活性化区域(109)端之间形成耗尽化区域(111)。因此，不增加工序数，实现通过注入离子降低基极·集电极之间电容、且没有晶体管特性劣化的高性能HBT。

主权项

1.一种异质结双极型晶体管，具备集电极层、形成在所述集电极层上的基极层、以及形成在所述基极层上的发射极层，其特征是：所述发射极层具备覆盖所述基极层的整个上面的第一半导体层、和形成在所述第一半导体层的规定部分上方的第二半导体层，在所述集电极层的所述基极层的下侧区域且所述第二半导体层的外侧区域，通过离子注入而设置非活性化区域，所述非活性化区域的一端和所述第二半导体层的一端分离开，所述第一半导体层的所述非活性化区域的一端和所述第二半导体层的一端之间的区域被形成耗尽化区域。