具有稳健的静电放电保护的输入/输出晶胞

摘要

一种可提高静电放电(electrostatic discharge，ESD)的稳健性的ESD保护保护装置。此ESD保护装置包括一焊垫、一指叉结构MOS、一井状区(well stripe)以及一掺杂段(dopedsegment)。焊垫是安置于一第一导电型的半导体基底。指叉结构 MOS是安置于上述的半导体基底上，且包括多个漏极区、多个源极区以及多个沟道区。每一漏极区为一第二导电型，并与焊垫耦接。每一源极区亦为第二导电型，并与电源线(powerrail)相耦接。在半导体中的多个沟道区中，每一沟道区大致上互相保持平行，且每一沟道区是被设置于其中一源极区与其中一漏极区之间。井状区为第二导电型，并被安置于半导体内且与多个沟道区保持一交角。掺杂段为第一导电型，并被设置于井状区之中。另外，掺杂段是与焊垫相耦接。

主权项

1.一种半导体装置，可用以提高静电放电的容忍度，包括：一焊垫，是配置于一第一导电型的一半导体基底；一指叉结构晶体管，是配置于该半导体基底上，包括：至少一第二导电型的一漏极区，且该漏极区是耦接至该焊垫；该第二导电型的多个源极区，该多个源极区是耦接至一电源线；以及形成于该半导体基底的多个沟道区，每一沟道区是配置于其中一源极区与至少一漏极区之间；该第二导电型的一井状区，该井状区是配置于该半导体基底上，该井状区是以一第一方向延展，且该第一方向是与至少一沟道区的一沟道宽度方向形成一交角；以及该第一导电型的一掺杂段，是被配置于该井状区且耦接至该焊垫。