发明名称 |
半导体衬底的制造方法以及半导体装置的制造方法和由该方法制造的半导体衬底以及半导体装置 |
摘要 |
提供一种低成本、高品质的SON半导体衬底的制造方法,另外,通过在制造工序中引入此半导体衬底的制造方法提供高性能的半导体装置的制造方法。在衬底中预先决定的区域选择性地注入离子,由该注入的离子在前述预先决定的区域内形成多个微小空洞。通过对该衬底进行热处理,使前述多个微小空洞的各个成长,进一步使相邻的微小空洞相互结合,由在前述预先决定的区域中延伸的空洞形成由空洞构成的绝缘区域。 |
申请公布号 |
CN1669148A |
申请公布日期 |
2005.09.14 |
申请号 |
CN03816397.7 |
申请日期 |
2003.05.08 |
申请人 |
日本电气株式会社 |
发明人 |
小椋厚志 |
分类号 |
H01L27/12;H01L21/265 |
主分类号 |
H01L27/12 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1、一种半导体衬底的制造方法,其特征在于,包括:第1步骤,在衬底内的预先决定的区域选择性地注入离子,由该注入的离子在前述预先决定的区域内形成多个微小空洞;和第2步骤,通过对该衬底实施热处理,使前述多个微小空洞的各个成长,进一步使互相邻接的微小空洞之间结合,形成由跨越前述预先决定区域全体存在的成为一体的空洞所构成的埋设绝缘区域。 |
地址 |
日本东京都 |