发明名称 制备光学半导体装置的方法
摘要 本发明提供一种制备光学半导体装置的方法,该方法包括:(1)在一个或多个安装于导体上的光学半导体元件上形成树脂层;及(2)模压于步骤(1)中形成的树脂层,其中每个光学半导体元件具有从其安装侧面至发光侧面逐渐变细的纵向断面。
申请公布号 CN1667845A 申请公布日期 2005.09.14
申请号 CN200510008290.5 申请日期 2005.02.21
申请人 日东电工株式会社 发明人 末广一郎;堀田佑治
分类号 H01L33/00;H01S5/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 张平元;赵仁临
主权项 1.一种制备光学半导体装置的方法,该方法包括:(1)在一个或多个安装于导体上的光学半导体元件上,形成树脂层;及(2)模压于步骤(1)中形成的树脂层,其中每个光学半导体元件具有从其安装侧面至发光侧面逐渐变细的纵向断面。
地址 日本大阪府