| 发明名称 |
FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR MEMORY CELL, FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR MEMORY CELL ARRANGEMENT, AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR MEMORY CELL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1573820(A1) |
申请公布日期 |
2005.09.14 |
| 申请号 |
EP20030789328 |
申请日期 |
2003.12.18 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
DREESKORNFELD, LARS;HARTWICH, JESSICA;HOFMANN, FRANZ;KRETZ, JOHANNES;SPECHT, MICHAEL |
| 分类号 |
G11C11/21;G11C11/34;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8246;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115 |
主分类号 |
G11C11/21 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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