发明名称 微透镜阵列的制作方法
摘要 本发明提供了一种面型保真度高,可刻蚀深度大的制作连续深浮雕微透镜阵列的方法。本发明通过刻蚀深度和刻蚀口径计算所要刻蚀的微透镜阵列浮雕的剖面图,并根据刻蚀深度-曝光量的关系对获得的掩模单元图形进行优化,由优化后的掩模图形进行曝光、显影、坚膜,完成微透镜阵列的制作。本发明能在刻蚀深度比较大的情况下,高保真地将掩模图形传递到光刻胶上,制作的微透镜阵列的浮雕深度比现有技术提高六倍。
申请公布号 CN1219224C 申请公布日期 2005.09.14
申请号 CN01108437.5 申请日期 2001.05.16
申请人 中国科学院光电技术研究所 发明人 董小春;杜春雷;潘丽
分类号 G02B3/08 主分类号 G02B3/08
代理机构 成都信博专利代理有限责任公司 代理人 张一红;王庆理
主权项 1、一种微透镜阵列的制作方法,其特征在于具有下列步骤:①、根据所述微透镜阵列的刻蚀深度和刻蚀口径,计算所述微透镜阵列的浮雕剖面图;②、推导出所述微透镜阵列的刻蚀深度-曝光量函数关系式:<math> <mrow> <mi>y</mi> <mo>=</mo> <mi>g</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>x</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>&alpha;</mi> </mfrac> <mi>ln</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mi>f</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>Q</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>-</mo> <mi>exp</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mo>-</mo> <mi>m</mi> <mo>&times;</mo> <mi>p</mi> <mo>+</mo> <mi>ln</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>f</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>Q</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>-</mo> <mi>p</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>)</mo> </mrow> <mo>)</mo> </mrow> <mo>/</mo> <mi>p</mi> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </math> 并由此解得曝光量分布函数:<math> <mrow> <mi>f</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>Q</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mi>p</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msup> <mi>e</mi> <mrow> <mi>&alpha;g</mi> <mrow> <mo>(</mo> <mi>x</mi> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </msup> <mo>-</mo> <msup> <mi>e</mi> <mi>mp</mi> </msup> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <mn>1</mn> <mo>-</mo> <msup> <mi>e</mi> <mrow> <mo>-</mo> <mi>mp</mi> </mrow> </msup> </mrow> </mfrac> </mrow> </math> 上述两式中:y:与曝光量相对应的浮雕深度; g(x):要刻蚀的微透镜阵列的浮雕形状; α:所用光刻材料的吸收系数; f(Q):曝光量分布函数; Q:曝光量; m:m=k×t×α; k:比例系数; t:时间; p:光刻胶在显影液中的生成物分子;③、以所述刻蚀深度-曝光量函数关系式为依据,按照所述曝光量分布函数进行计算,对所述微透镜阵列的浮雕剖面图进行优化、修正,获得掩模单元优化图形;④:按照所述掩模单元优化图形参数制作掩模单元;⑤、将所述掩模单元投影在光刻胶上,进行曝光,在曝光过程中连续移动掩模;⑥、对曝光后的光刻胶进行定时显影、坚膜、去胶,完成所述微透镜阵列的制作。
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