绝缘层上有半导体的晶片

摘要

本实用新型是一种绝缘层上有半导体的晶片，其包含复数个多重栅极晶体管在一绝缘层之上。至少一个该些多重栅极晶体管包括：一具有朝第一方位排列的半导体鳍片、一闸电极形成于邻近该半导体鳍片的一沟道区部分上、以及一源极区与一漏极区位于该半导体鳍片中，使该沟道区处于该源极区与漏极区之间，其中该沟道区经掺杂以形成一第一导电型。该源极区与漏极区经掺杂以形成一异于该第一导电型的第二导电型。每一半导体鳍片更包含有一蚀刻罩幕在该些半导体鳍片上。

主权项

1.一种绝缘层上有半导体的晶片，其特征在于所述绝缘层上有半导体的晶片是包含：多个多重栅极晶体管形成于一绝缘层之上；至少一个该多重栅极晶体管包括：一具有朝第一方位排列的半导体鳍片；一闸电极形成于邻近该半导体鳍片的一沟道区部分上，该闸电极具有一小于30纳米的栅极长度；一源极区与一漏极区位于该半导体鳍片中，使该沟道区处于该源极区与漏极区之间，其中该沟道区经掺杂以形成一第一导电型，而该源极区与漏极区则经掺杂以形成一异于第一导电型的第二导电型；其中至少一个该多重栅极晶体管是包括大体所有位于该绝缘层上有半导体的晶片上具有一小于30纳米的栅极长度以及一具有第一导电型的沟道区的多重栅极晶体管。