| 发明名称 | 低介电常数多孔氧化硅薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低介电常数多孔氧化硅薄膜，该薄膜含有分布均匀的纳米微孔。该薄膜的制备方法是：用三烷氧基硅烷有机物(RSi(OR’)<SUB> 3</SUB>)通过水解—缩合反应生成含有笼型结构的多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)分子的溶胶；将上述溶胶涂布于硅片上制成薄膜；将上述薄膜在空气或惰性气体保护下加热固化、烧结即得低介电常数多孔氧化硅薄膜，烧结温度为300－600℃，升温速率为2－5℃每分钟。本发明的多孔氧化硅薄膜：介电常数低，纳米微孔分布均匀，微孔大小均匀、尺寸可调，薄膜与硅片的粘附性好，结合紧密，耐热性、热稳定性好。 | ||
| 申请公布号 | CN1666861A | 申请公布日期 | 2005.09.14 |
| 申请号 | CN200510038675.6 | 申请日期 | 2005.04.01 |
| 申请人 | 安徽大学 | 发明人 | 徐洪耀;李村;光善仪;吴振玉;王献彪 |
| 分类号 | B32B3/12 | 主分类号 | B32B3/12 |
| 代理机构 | 合肥华信专利商标事务所 | 代理人 | 余成俊 |
| 主权项 | 1、一种低介电常数多孔氧化硅薄膜，其特征在于该氧化硅薄膜含有均匀分布的纳米级微孔。 | ||
| 地址 | 230039安徽省合肥市肥西路3号 | ||