| 发明名称 | 场效晶体管、其使用及其制造 | ||
| 摘要 | 本发明提供有关具有一半导体层(10)的一垂直场效晶体管的解释，而在其中，一已掺杂沟道区域乃会沿着一凹陷(72)而配置。一“埋藏”终端区域(18，54)会导通至该半导体层的一表面，因此，该场效晶体管乃具有杰出的电性特质，并且可以简单的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN1669152A | 申请公布日期 | 2005.09.14 |
| 申请号 | CN03816779.4 | 申请日期 | 2003.06.12 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | R·卡科斯奇科;H·图斯 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种场效晶体管(222)，包括：一已掺杂沟道区域，沿着一凹陷(72)而配置；一已掺杂终端区域(16)，靠近该凹陷(72)的一开口；一已掺杂终端区域(18)，远离该开口；一控制区域(172)，配置于该凹陷(72)中；以及一电性绝缘区域(170)，位在该控制区域(172)以及该沟道区域间，其中，远离该开口的终端区域(18，54)乃导通至包含该开口的一表面、或是被电传导连接至导通到该表面的一电传导连接。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||