氮化镓类化合物半导体装置

摘要

本发明涉及主要在不超过375nm的波长下发光的LED。LED由衬底(10)上的GaN层(16)、n－覆盖层(20)、AlInGaN缓冲层(22)、发光层(24)、p－覆盖层(26)、p电极(30)、n电极(32)构成。发光层(24)为对InGaN阱层和AlInGaN阻挡层进行层叠而成的多层量子阱结构(MQW)。通过量子阱结构扩大了InGaN阱层的有效带隙并使发光波长变短。此外，通过在发光层(24)的基底层采用AlInGaN缓冲层(22)，从而有效地将电子注入到发光层(24)，增大发光效率。

主权项

1.一种氮化镓类化合物半导体装置，具有形成在衬底上的GaN类发光层，其特征在于：所述发光层包含由InGaN阱层和AlInGaN阻挡层层叠而成的多层量子阱层。