| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 漏极扩散层(11b)包括低杂质浓度区(5a)和高杂质浓度区(5b)，并且低杂质浓度区(5a)位于沟道区的一侧上。在该沟道区中，在远离该低杂质浓度区(5a)一距离(T)的位置上，形成具有与该漏极扩散层(11b)相反的导电类型的杂质层(7)。可选择地，将低杂质浓度区(5a)和杂质层(7)设置成彼此接触。仍可选择地，在低杂质浓度区(5a)和杂质层(7)之间提供边界杂质层。这样，可以提供一种包括高压晶体管的半导体器件及其制造方法，该半导体器件能够抑制电流驱动能力的降低和进行稳定的驱动。 | ||
| 申请公布号 | CN1667837A | 申请公布日期 | 2005.09.14 |
| 申请号 | CN200510052769.9 | 申请日期 | 2005.03.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 铃木光浩;森永实;井上征宏 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种包括高压晶体管的半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，其具有第一导电类型表面部分；第二导电类型源极扩散层，其形成在该半导体衬底中；漏极扩散层，其包括第二导电类型低杂质浓度区和第二导电类型高杂质浓度区，该高杂质浓度区的杂质浓度比该低杂质浓度区的杂质浓度高，其中在该源极扩散层的一侧形成该低杂质浓度区；第一导电类型杂质层，其设置在该半导体衬底中的源极扩散层和低杂质浓度区之间；栅极绝缘膜，其设置在该第一导电类型杂质层上；以及栅极，其设置在该栅极绝缘膜上；其中将该低杂质浓度区和该杂质层布置成使其不抵消彼此的杂质。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||