| 发明名称 | 半导体器件和半导体组件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括半导体衬底和在其上形成的多层互连结构，该多层互连结构包括相对介电常数小于SiO2膜的层间绝缘膜；密封树脂层，覆盖多层互连结构侧的半导体芯片的第一主表面，并覆盖半导体芯片的侧面；以及应力松弛树脂层，插在半导体芯片和密封树脂层之间，覆盖多层互连结构侧的半导体芯片的至少部分边缘，以及杨氏模量小于密封树脂层。 | ||
| 申请公布号 | CN1667820A | 申请公布日期 | 2005.09.14 |
| 申请号 | CN200510053421.1 | 申请日期 | 2005.03.07 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 濑户雅晴 |
| 分类号 | H01L23/28;H01L21/56 | 主分类号 | H01L23/28 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括半导体衬底和在其上形成的多层互连结构，所述多层互连结构包括相对介电常数小于SiO2膜的层间绝缘膜；密封树脂层，覆盖所述多层互连结构侧的所述半导体芯片的第一主表面，并覆盖所述半导体芯片的侧面；以及应力松弛树脂层，插在所述半导体芯片和所述密封树脂层之间，覆盖所述多层互连结构侧的所述半导体芯片的至少部分边缘，以及杨氏模量小于所述密封树脂层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||