半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，现有肖特基势垒二极管的VF、IR特性为对调关系，存在为实现低VF化就不能避免漏电流增大的问题。通过用例如钛中含有微量铝的金属层作为肖特基金属层6来构成肖特基势垒二极管，可不使单纯钛的正向电压VF大幅度增加而实现低IR化，故可抑制正向损失，降低反向损失，实现低耗电化。

主权项

1、一种半导体装置，其至少包括：一导电型半导体层；金属层，其与该半导体层表面形成肖特基结，其特征在于，所述金属层是由在肖特基金属中含有微量铝的合金构成的金属层。