半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在具有电路元件的晶圆状的半导体芯片(12’)的主表面(12a)上，形成面对电路元件的钝化膜(20’)，使得主表面中沿该主表面的端边的第一区域(30)露出。然后，形成绝缘膜22，使之沿该钝化膜的主表面(20a)和侧面(20b)延伸到半导体芯片的主表面上，并使第一区域中沿主表面的端边的第二区域(35)保留。而且，在第二区域上形成在形成的同时将绝缘膜覆盖的密封层。从而，能够抑制对封装件内部的水分侵入，还能通过按照设计值镀覆而形成的再布线层等使电气特性的可靠性得到改善。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：在设有电路元件的半导体芯片的主表面上形成面对所述电路元件的钝化膜，使所述主表面中沿该主表面的端边的第一区域露出的钝化膜形成工序；沿该钝化膜的主表面和侧面延伸到所述半导体芯片的主表面上，且使所述第一区域中沿所述主表面的端边的第二区域保留来形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；以及在所述第二区域上形成在形成时将所述绝缘膜覆盖的密封层的密封层形成工序。