发明名称 窗口隔离型极小孔半导体激光器和制作方法
摘要 一种窗口隔离型极小孔激光器,其中包括:一衬底;一N面电极,该N面电极制作在衬底的底面;一下限制层,该下限制层制作在衬底的上面;一有源区,该有源区制作在下限制层的上面;在该有源区上形成有限制出光的小孔;一上限制层,该上限制层制作在有源区的上面;脊形波导区,该脊形波导区制作在上限制层的上面;一绝缘介质膜,该绝缘介质膜制作在上限制层和脊形波导区的上面;一窗口隔离区和其上的覆盖层,该窗口隔离区和其上的覆盖层在激光器的两端、脊形波导的上面;一P面电极,该P面电极制作在绝缘介质膜的上面,在窗口隔离区之间。
申请公布号 CN1219346C 申请公布日期 2005.09.14
申请号 CN03103008.4 申请日期 2003.01.27
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 康香宁;宋国峰;陈良惠
分类号 H01S5/16 主分类号 H01S5/16
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汤保平
主权项 1、一种窗口隔离型极小孔激光器,其特征在于,其中包括:一衬底;一N面电极,该N面电极制作在衬底的底面;一下限制层,该下限制层制作在衬底的上面;一有源区,该有源区制作在下限制层的上面;在该有源区端面上镀有光学介质膜和金属膜,金属膜上形成有限制出光的小孔;一上限制层,该上限制层制作在有源区的上面;脊形波导区,该脊形波导区制作在上限制层的上面;一绝缘介质膜作为电流阻挡层,该绝缘介质膜制作在上限制层和脊形波导区的上面;一窗口隔离区和其上的覆盖层,该窗口隔离区和其上的覆盖层在激光器的两端、脊形波导的上面;一P面电极,该P面电极制作在绝缘介质膜的上面,在窗口隔离区之间。
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