发明名称 |
一种互连结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种包括带有蚀刻图案的多层旋压电介质层的互连结构及用于制作该互连结构的方法。这种互连结构包括在一个衬底表面上形成的带有蚀刻图案的多层旋压电介质层。该带有蚀刻图案的多层旋压电介质层包括底层低k电介质层、埋入阻蚀层和顶层低k电介质层,其中,底层和顶层低k电介质层具有第一成分,所述埋入阻蚀层具有与第一成分不同的第二成分,且该埋入阻蚀层与所述顶层和底层低k电介质层以共价键形式键合。该互连结构还包括一层在带有蚀刻图案的多层旋压电介质层上形成的抛光阻挡层;和一些在带有蚀刻图案的多层旋压电介质层中形成的金属导电区。共价键合用一种有机硅烷实现,该有机硅烷包括一些能与顶层和底层电介质层键合的功能团。 |
申请公布号 |
CN1219323C |
申请公布日期 |
2005.09.14 |
申请号 |
CN02105296.4 |
申请日期 |
2002.02.26 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
斯蒂芬·M.·盖茨;杰弗里·C.·罕德里克;萨特亚纳拉雅纳·V.·尼塔;山帕施·珀舍沙曼;克里斯蒂·S.·蒂伯格 |
分类号 |
H01L23/532;H01L23/535;H01L23/522;H01L21/768;H05K3/46 |
主分类号 |
H01L23/532 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
吴丽丽 |
主权项 |
1.一种互连结构,包括:一层衬底,其表面形成有带有蚀刻图案的多层旋压电介质层,所述带有蚀刻图案的多层旋压电介质层包括底层低k电介质层、埋入阻蚀层和顶层低k电介质层,其中,所述底层和顶层低k电介质层具有第一成分,而所述埋入阻蚀层具有与所述第一成分不同的第二成分,并且所述埋入阻蚀层包含一种与所述顶层和底层低k电介质层以共价键形式键合的旋压有机硅烷;一层在所述带有蚀刻图案的多层旋压电介质层上形成的抛光阻挡层;和一些在所述带有蚀刻图案的多层旋压电介质层中形成的金属导电区。 |
地址 |
美国纽约 |