半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及主电流在半导体衬底的厚度方向上流动的半导体器件。其目的在于：提供在主电流在半导体衬底的厚度方向上流动的半导体器件中，当相邻配置功能不同的半导体元件时，能实现所期待的电特性的半导体元件。而且，为了实现所述目的，在半导体衬底(901)的第二主面(MS2)的表面内设置彼此隔开间隔交替形成的P型半导体区(912)和N型半导体区(913)，在两者间的半导体衬底(901)的表面内，配置在沟槽内埋入绝缘体(914)而形成的沟槽隔离构造(911)。此外，配置第二主电极(916)，使其接触P型半导体区(912)和N型半导体区(913)。

主权项

1.一种半导体器件，包括：设置在半导体衬底(901)的第一主面上(MS1)的第一主电极(908)；设置在所述半导体衬底(901)的第二主面(MS2)上的第二主电极(916)；以及设置在所述第一主面(MS2)的表面内的至少一个沟槽型栅极(905)，主电流在所述半导体衬底(901)的厚度方向上流动，其中，所述半导体衬底(901)具有：设置在所述第二主面的表面内的至少一个沟槽隔离构造(911)；以及配置在所述第二主面(MS2)的表面内的第一导电类型的第一杂质区(913)和第二导电类型的第二杂质区(912)，其中，通过在设置于所述第二主面(MS2)的表面内的沟槽内部埋入绝缘体或与所述半导体衬底导电类型相反的半导体，构成所述至少一个沟槽隔离构造(911)，并将其配置成隔离所述第一杂质区和所述第二杂质区。