| 发明名称 | 光催化剂磷灰石膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 光催化剂磷灰石膜的形成方法，其包括用于制作含有光催化剂磷灰石的溅射用靶的靶制作工序(S12)、采用使用了该靶的溅射法用于在基材上使光催化剂磷灰石成膜的溅射工序(S13)。在溅射工序(S13)前，为了使光催化剂磷灰石的结晶性提高而进行用于将该光催化剂磷灰石烧成的烧成工序(S11)。 | ||
| 申请公布号 | CN1668377A | 申请公布日期 | 2005.09.14 |
| 申请号 | CN02829619.2 | 申请日期 | 2002.12.27 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 安曾德康;若村正人 |
| 分类号 | B01J35/02;B01J37/02;B01J27/18 | 主分类号 | B01J35/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈昕 |
| 主权项 | 1.光催化剂磷灰石膜的形成方法，其包括：用于制作含有光催化剂磷灰石的溅射用靶的靶制作工序，和采用使用了所述靶的溅射法，用于在基材上使光催化剂磷灰石成膜的溅射工序；在所述溅射工序前，为了使所述光催化剂磷灰石的结晶性提高而进行用于将该光催化剂磷灰石烧成的烧成工序。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||