高温下各向异性地蚀刻多层结构

摘要

本发明公开了一种可供选择的蚀刻化学组成，该化学组成可以提供固有地各向异性蚀刻，并且在不需要高分子聚合物沉积作用的条件下消除刻痕形成。蚀刻在高于近似160℃的衬底温度下用HBr和N₂的组合实施，以提供基本上无刻痕和无碳聚合物的各向异性蚀刻方法。可供选择的蚀刻化学组成允许在ICP等离子体蚀刻体系内含铟多层结构中产生具有光滑侧壁的基本上垂直的特征。

主权项

1.一种用于各向异性地干法蚀刻化合物半导体异质结构的方法，所述方法包括：选择性地掩蔽异质结构的表面；和将被掩蔽的异质结构暴露于包含溴化氢和氮气的混合物的等离子体，以在通常垂直于主表面的方向上各向异性地蚀刻该异质结构的未掩蔽部分。