金属氧化物半导体晶体管的结构以及其形成方法

摘要

提出一种金属氧化物半导体晶体管的结构以及其形成方法。此金属氧化物半导体晶体管的栅介电层在靠近漏极的一端形成鸟嘴结构以增加其厚度。因此，可降低栅极对漏极的重叠电容。

主权项

1.一种形成金属氧化物半导体晶体管的方法，该方法至少包含：在一基材上形成一栅极堆叠，其中该栅极堆叠包括一栅介电层及一导体层；形成一掩模层以覆盖该栅极堆叠与该基材；蚀刻该掩模层以暴露出该栅极堆叠的一侧以及与该侧同侧的该基材的表面；对暴露出的该栅极堆叠的该导体层进行一氧化工艺以氧化暴露出的该栅极底部角落而形成一鸟嘴结构；去除该掩模层；以及在该栅极两侧的该基材中分别形成一源极与一漏极，该漏极与该鸟嘴结构同侧。