发明名称 INTEGRATING N-TYPE AND P-TYPE METAL GATE TRANSISTORS
摘要
申请公布号 EP1573803(A2) 申请公布日期 2005.09.14
申请号 EP20030814832 申请日期 2003.12.15
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 DOCZY, MARK;KEATING, STEVEN;KAVALIEROS, JACK;DOYLE, BRIAN;BARNS, CHRIS;BARNAK, JOHN;MCSWINEY, MICHAEL;BRASK, JUSTIN
分类号 H01L21/3213;H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/823 主分类号 H01L21/3213
代理机构 代理人
主权项
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