发明名称 | 过电压保护装置及其制备工艺 | ||
摘要 | 本发明提供一种过电压保护装置及其制备工艺,该保护装置至少包括:一基板;一基极区,设置于该基板上;多个射极区,设置于该基极区上;及一电压极限区,设置于该基极区外侧。该制备工艺是在组件接面的平行处设置一电压极限区域,以产生一横向的接面崩溃,该电压极限区域与接面的间距设定了该装置的崩溃电压值,而电压极限区域的总长度则设定了该装置的击穿电流值,通过本发明中电压极限区域的位置与总长度的选择,可制成拥有各种不同崩溃电压与较低的击穿电流即较敏锐的过电压保护装置。 | ||
申请公布号 | CN1667841A | 申请公布日期 | 2005.09.14 |
申请号 | CN200410028243.2 | 申请日期 | 2004.03.08 |
申请人 | 敦南科技股份有限公司 | 发明人 | 曾清秋 |
分类号 | H01L29/87 | 主分类号 | H01L29/87 |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐恕;郭凤麟 |
主权项 | 1.一种过电压保护装置的制备工艺,是通过设置一电压极限区在一基极区的外侧以达到控制组件的崩溃电压及击穿电流,其中该工艺步骤包括有:形成一第一遮蔽层在一基板上;蚀刻该第一遮蔽层成为多个遮蔽体,以区分一第一区域与一第二区域;形成该基极区在该第二区域内;形成该电压极限区在该第一区域内;形成射极区在该基极区上;及形成一电极区在该射极区上。 | ||
地址 | 台湾省台北县 |