| 主权项 |
1.一种在包含结合的多个步骤的Si(矽)晶圆再生过程中的Cu(铜)污染原因步骤的确定方法,包含:使用p型Si晶圆或p型及n型Si晶圆成为监视晶圆,以及在Si晶圆再生过程期间的步骤之一之前或之后或是一系列连续步骤之前及之后实施用来测量监视晶圆的电阻的电阻测量操作至少一次。2.如申请专利范围第1项所述的Cu污染原因步骤的确定方法,其中监视晶圆具有在5至50cm(欧姆公分)的范围内的电阻系数。3.如申请专利范围第1项所述的Cu污染原因步骤的确定方法,其中监视晶圆具有在10至30cm的范围内的电阻系数。4.如申请专利范围第1项所述的Cu污染原因步骤的确定方法,其中在电阻测量操作之前而于形成在Si晶圆的表面上的所有膜均已被移除之后,实施于100至300℃的范围内的温度加热Si晶圆一段在20分钟至10小时的范围内的时间以用来清洁的加热及清洁操作,以在加热及清洁之后接下来的步骤中确定Cu污染原因步骤。5.如申请专利范围第4项所述的Cu污染原因步骤的确定方法,其中监视晶圆分别具有在5至50cm的范围内的电阻系数。6.如申请专利范围第4项所述的Cu污染原因步骤的确定方法,其中监视晶圆分别具有在10至30cm的范围内的电阻系数。7.一种Cu(铜)污染侦测方法,包含:在于100至300℃的范围内的温度加热Si(矽)晶圆一段在20分钟至10小时的范围内的时间的加热及清洁操作之前及之后,执行用来测量Si晶圆的电阻的电阻测量操作,以侦测加热及清洁之前发生的Cu污染。8.一种Si(矽)晶圆的再生方法,包含以下步骤:藉着如申请专利范围第1项所述的方法来在Si晶圆再生过程期间确定Cu(铜)污染原因步骤;及消除来自Cu污染原因步骤的Cu污染原因。9.一种Si(矽)晶圆的再生方法,包含以下步骤:藉着如申请专利范围第4项所述的方法来在加热及清洁处理之后接下来的步骤中确定Cu(铜)污染原因步骤;及消除来自Cu污染原因步骤的Cu污染原因。10.一种Si(矽)晶圆的再生方法,包含以下步骤:藉着如申请专利范围第7项所述的方法来侦测加热及清洁之前发生的Cu(铜)污染;藉着如申请专利范围第1项所述的方法来确定Cu污染原因步骤;及消除来自Cu污染原因步骤的Cu污染原因。图式简单说明:图1显示在使用含Cu(铜)抛光浆料抛光之前及之后测量的监视晶圆的电阻系数。图2显示在使用不含有任何Cu的抛光浆料抛光之前及之后测量的监视晶圆的电阻系数。图3A显示以含Cu抛光浆料抛光的p型Si(矽)晶圆的电阻系数随时间的变化。图3B显示图3A的放大部份。图4显示以含Cu抛光浆料抛光且于200℃被加热2.5小时的p型Si晶圆上的表面Cu浓度与薄片电阻系数的改变比之间的关系。图5显示在不同加热情况下藉着使用在热处理之前及之后测量的p型及n型Si晶圆的电阻系数计算的电阻系数的改变比。图6为使用根据本发明的较佳实施例中的Cu污染原因过程确定方法的Si晶圆再生过程的流程图。图7显示在抛光过程之前及之后的监视晶圆的电阻系数。图8显示在使用不受Cu污染的抛光浆料的抛光过程之前及之后的监视晶圆的电阻系数。 |
