| 主权项 |
1.一种以超临界流体清洗基板之装置,其系利用超临界流体清洗基板,其包含:一压力容器,其系为可密闭者,其更包含一本体及上盖,用于形成一密闭空间,以储存该超临界流体,并形成压力,以维持流体保持在超临界状态;一旋转盘,设于该压力容器内,该旋转盘可旋转,其更包含一基板容置盘及一轴杆,该基板容置盘用于容置一待清洗基板;一驱动装置,连结至该旋转盘之该轴杆,用于驱动该旋转盘;一超临界流体供给装置,用于供给该超临界流体至该压力容器内;一加热装置,用于加热该基板;一流体排出装置,用于将该压力容器内之流体排至压力容器外;一温度控制装置,用于控制该加热装置的温度补偿作用之进行。2.一种以超临界流体清洗基板之装置,其系利用超临界流体清洗基板,其包含:一压力容器,其系为可密闭者,其更包含一本体及上盖,用于形成一密闭空间,以储存该超临界流体,并形成压力,以维持流体保持在超临界状态;一旋转盘,设于该压力容器内,该旋转盘可旋转,其更包含一基板容置盘及一轴杆,该基板容置盘用于容置一待清洗基板;一驱动装置,连结至该旋转盘之该轴杆,用于驱动该旋转盘;至少一喷嘴装置,用于喷出该超临界流体,藉由高压之该超临界流体,以喷流直接喷洗基板表面。一超临界流体供给装置,用于供给该超临界流体至该压力容器内;一加热装置,用于加热该基板;一流体排出装置,用于将该压力容器内之流体排至压力容器外;一温度控制装置,用于控制该加热装置的温度补偿作用之进行。3.如申请专利范围第1或2项所述之装置,其中该超临界流体系由二氧化碳(Carbon dioxide)或氨(Ammonia)或氦(Helium)或氩(argon)或氙(Xenon)或氧化亚氮(Nitrousoxide)或其组合所形成。4.如申请专利范围第1或2项所述之装置,其中该基板可为晶圆、半导体、光电元件或平板状之玻璃、石英、陶瓷、金属、高分子塑胶等材料。5.如申请专利范围第1或2项所述之装置,其中该超临界流体内亦可加入适量的辅溶剂(co-solvent)以增强洗净效果。6.如申请专利范围第1或2项所述之装置,其中该压力容器其更包含一快速启闭夹钳,用于夹合该本体及该上盖而形成一密闭空间。7.如申请专利范围第1或2项所述之装置,其中该旋转盘之轴杆系贯穿压力容器本体,且该.驱动装置系以机械方式驱动该旋转盘。8.如申请专利范围第1或2项所述之装置,其中该旋转盘之轴杆系未贯穿压力容器本体,且该.驱动装置系以非机械方式驱动该旋转盘。9.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该驱动装置系以磁力驱动该旋转盘。10.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该驱动装置系以流体动力驱动该旋转盘。11.如申请专利范围第1或2项所述之装置,其中该加热装置系设于该压力容器内。12.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该加热装置系设于该旋转盘上方。13.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该加热装置更包含一电热式加热器。14.如申请专利范围第1或2项所述之装置,其中该加热装置系设于该压力容器外。15.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该加热装置系以加热至某一温度的气体,经由一管路输送至该压力容器之内,以加热基板。16.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该加热装置更设有一容器,用以容置该气体,且该容器之内更设有一电热式加热器。17.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该加热装置更包含一温度感知器,用于侦测该气体的温度,以控制加热的进行。18.如申请专利范围第1或2项所述之装置,其中该温度控制装置,包含有温度感知装置及回馈控制装置。19.如申请专利范围第18项所述之装置,其中该温度感知装置,系为热敏电阻式温度感知器或红外线式温度感知器或热电偶式温度感知器或为其组合。图式简单说明:第1图之1、之2为习知清洗基板装置之上、下加热装置的上视图。第2图为本发明一体实施之示意图。第3图为本发明另一体实施之示意图。 |
