| 主权项 |
1.一种形成可减少金属蚀刻残留物的导电结构层的方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一阻障层于该基底上;以及于连续真空状态环境下依序形成一前原位金属层与一第一金属层于该阻障层上。2.如申请专利范围第1项所述之形成可减少金属蚀刻残留物的导电结构层的方法,其中该前原位金属层包括钛、氮化钛、及钨化钛其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之形成可减少金属蚀刻残留物的导电结构层的方法,其中该第一金属层包括铝,铜,钨,铝矽合金,铝矽铜合金,铝铜合金,铝合金,铜合金,及钨合金其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之形成可减少金属蚀刻残留物的导电结构层的方法,其中更包括一处理该阻障层之步骤,以增加该阻障层之阻绝效果。5.如申请专利范围第4项所述之形成一可减少金属蚀刻残留物的导电结构层的方法,其中该处理该阻障层之步骤包括高温热回火处理及于空气中冷却一段时间二者择一。6.如申请专利范围第4项所述之形成可减少金属蚀刻残留物的导电结构层的方法,其中该阻障层包括至少一第二金属层。7.如申请专利范围第1项所述之形成可减少金属蚀刻残留物的导电结构层的方法,其中该阻障层包括钛,氮化钛,及钨化钛其中之一。8.如申请专利范围第1项所述之形成可减少金属蚀刻残留物的导电结构层的方法,其中该基底包括一介电层与定义于该介电层之一开口。9.如申请专利范围第1项所述之形成可减少金属蚀刻残留物的导电结构层的方法,更包括沉积一抗反射层于该第一金属层上。10.如申请专利范围第9项所述之形成可减少金属蚀刻残留物的导电结构层的方法,其中该抗反射层包括氮化钛。11.如申请专利范围第1项所述之形成可减少金属蚀刻残留物的导电结构层的方法,更包括一微影与一蚀刻步骤以定义该阻障层与该前位金属层与该第一金属层。12.一种形成导电结构层的方法,包括下列步骤:提供一基底;以及于连续真空状态环境下依序形成一前原位金属层与一金属层,于该基底上。13.如申请专利范围第12项所述之形成导电结构层的方法,其中该金属层系在形成该前原位金属层之同一真空机台中,以连续方式形成于该前原位金属层上。14.如申请专利范围第12项所述之形成导电结构层的方法,其中该前原位金属层包括钛、氮化钛、及钨化钛其中之一。15.如申请专利范围第12项所述之形成导电结构层的方法,其中该金属层包括铝,钨,铜,铝矽合金,铝矽铜合金,铝铜合金,铝合金,钨合金,和铜合金其中之一。16.如申请专利范围第12项所述之形成导电结构层的方法,更包括一微影与一蚀刻步骤以定义该前位金属层与该金属层。17.一种导电结构层的结构,形成于一基底上,该结构包括:一阻障层,形成于该基底上;一前原位金属层,形成于该阻障层上;以及一第一金属层,位于该前原位金属层上,其中该前原位金属层与该第一金属层系于连续真空状态环境下形成的。18.如申请专利范围第17项所述之导电结构层的结构,其中该前原位金属层包括钛、氮化钛、及钨化钛其中之一。19.如申请专利范围第17项所述之导电结构层的结构,其中该第一金属层包括铝,钨,铜,铝矽合金,铝矽铜合金,铝铜合金,铝合金,钨合金,及铜合金其中之一。20.如申请专利范围第17项所述之导电结构层的结构,其中该阻障层包括至少一第二金属层。21.如申请专利范围第17项所述之导电结构层的结构,其中该阻障层包括钛,氮化钛,和钨化钛其中之一。22.如申请专利范围第17项所述之导电结构层的结构,其中该基底包括一介电层与定义于该介电层之一开口。23.如申请专利范围第17项所述之导电结构层的结构,更包括一抗反射层,该抗反射层位于该第一金属层之上。24.一种导电结构层的结构,形成于一基底上,该结构包括:一前原位金属层,形成于该基底上;以及一金属层,形成于该前原位金属层上,其中该前原位金属层与该金属层系于连续真空状态环境下形成的。25.如申请专利范围第24项所述之导电结构层的结构,其中该前原位金属层包括钛、氮化钛、及钨化钛其中之一。26.如申请专利范围第24项所述之导电结构层的结构,其中该属层包括铝,钨,铝矽合金,铝矽铜合金,铝铜合金,铝合金,钨合金,及铜合金其中之一。图式简单说明:第1A图绘示习知之导电结构层剖面示意图,此导电结构层位于一基底上;第1B图绘示习知定义后之导电结构层剖面示意图,残留物留置于介电层上;第2图之电子显微镜相片显示习知之导电结构层于蚀刻后,有去除不尽的残留物存在;第3A图至第3E图,绘示本发明之导电结构层之制造流程剖面示意图,此导电结构层位于一基底上;以及第4图之电子显微镜相片显示本发明之导电结构层于蚀刻后,点状蚀刻残留物可有效地被避免。 |
