| 主权项 |
1.一种涂层装置,将液体物质覆盖于覆盖舱室中之基底上,包含:第一液体供应系统,用以将液体物质送入至覆盖舱室,以及第二液体供应系统,用以将液体送入至该第一液体供应系统,以清洁或是去活化至少残存于覆盖舱室或是第一液体供应系统中之液体物质。2.如申请专利范围第1项之涂层装置,进一步包含设置于覆盖舱室中的一控制机构,用以独立控制在覆盖舱室中之大气环境。3.如申请专利范围第1项之涂层装置,其中提供多数个液体供应系统且至少一个的第二液体供应系统系为提供用以清洁残存于至少于覆盖舱室或是第一液体供应系统中之液体物质之系统,以及至少另一第二液体供应系统,该另一第二液体供应系统系为提供用以清洁残存于至少于覆盖舱室或是第一液体供应系统中之液体物质之系统。4.如申请专利范围第1项之涂层装置,其中该覆盖舱室具有旋转覆盖器位于其中。5.如申请专利范围第1项之涂层装置,其中该第一液体供应系统包含:累积液体物质之容器,控制自容器流出之液体物质量之滴落速率控制部分,以及释出液体物质之喷嘴部分,且其中该容器,滴落速率控制部分,以及喷嘴部分系垂直自上而下以此顺序而设置,且连接此些部分之液体物质管线不具有水平相关于垂直方向之部分以使液体物质管线皆在垂直方向流动。6.如申请专利范围第1项之涂层装置,其中该覆盖舱室具有一液滴释出部分位于其中,以释出微型液滴,且该液滴释出部分具有藉由相对于支撑基底之台而移动下而在以该台所支撑之基底之预设位置上滴落微型液滴之功能。7.如申请专利范围第1项之涂层装置,其中该覆盖舱室具有废弃液体收集机构设置其中,其收集被导入至该覆盖舱室后不再需要之废弃液体。8.一种薄膜形成方法,其覆盖液体物质于覆盖舱室中之基底以在基底上形成薄膜,包含:将该液体物质藉由第一液体供应系统而送入覆盖舱室以形成薄膜于该基底上;以及接续将用以清洁液体物质或是将该液体物质去活化之液体,藉由第二液体供应系统而送入第一液体物质供应系统,以使残存于至少于覆盖舱室或是于第一液体供应系统中之液体物质被清洗或是去活化。9.一种薄膜形成装置,包含:如申请专利范围第1项之涂层装置;以及一加热处理装置,其将由涂层装置而覆盖于基底上之液体物质加热,其中该涂层装置以及加热处理装置每个系具有一控制机构,其可独立控制用以处理涂层装置以及加热处理装置之基底之处理舱室之大气环境。10.如申请专利范围第9项之薄膜形成装置,进一步包含一预先处理装置,其执行像是清洁基底表面之预先处理,其中该预先处理装置亦具有一控制机构,其独立控制在执行预先处理装置之处理的处理舱室中之大气环境。11.如申请专利范围第9项之薄膜形成装置,进一步包含一连接舱室,其连接至每个装置之处理舱室,其中该连接舱室亦具有一控制机构用以独立空置于连接舱室中之大气环境。12.一种半导体装置之制造方法,包含藉由覆盖包含功能层之构成元素之液体物质于一基底上而形成构成半导体装置之每个功能层之功能层,其中该形成功能层之步骤包含使用如申请专利范围第8项之薄膜形成方法而形成该功能层。13.一种电光学装置,包含以申请专利范围第12项之半导体装置制造方法而制造之半导体装置。14.一种电子设备,包含如申请专利范围第13项之电光学装置。图式简单说明:图1系本发明第一实施例之薄膜形成装置之结构图。图2系预先处理部分之结构图。图3系覆盖部分(涂层装置)之结构图。图4系第一加热处理部分之结构图。图5系第二加热处理部分之结构图。图6系本发明之第二实施例之薄膜形成装置之结构图。图7系喷墨处理部分之结构图。图8系图7所示分配器头之放大侧图。图9系图7所示分配器头之放大底视图。图10系本发明第三实施例之薄膜形成装置之结构图。图11A至11C系半导体装置制造步骤图。图12A至12D系半导体装置制造步骤图。图13A至13C系半导体装置制造步骤图。图14系有机EL装置之切面图。图15系本发明第五实施例之电子装置例之立体图。图16系本发明另一实施例之薄膜形成装置之结构图。 |
