| 主权项 |
1.一种电子结构包含:一基材,该基材具有一介层洞开口(via opening)的一介电层,该介层洞开口有侧壁及底部表面;一阻障层,其中该阻障层由钨(tungsten)、钛(titanium)、钨合金、氮化钛(titanium nitride)、钽(tantalum)、氮化钽(tantalum nitride)、矽化钽(tantalum silicon)所组成之群组中选出;一内层,由钯(palladium)、铂(platinum)和其混合物所组成之群组中选出,其中该内层之厚度为约50埃至约500埃;以及铜或铜合金,位于该内层之上,其中该内层在该铜或铜合金及该阻障层之间。2.如申请专利范围第1项所述之电子结构,其中该内层为钯。3.如申请专利范围第1项所述之电子结构,其中该内层为铂。4.如申请专利范围第1项所述之电子结构,其中该内层之厚度为约50埃至约100埃。5.如申请专利范围第1项所述之电子结构,其中该介电层包含二氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之电子结构,其中该介层洞之宽度为约100nm至约500nm。7.如申请专利范围第1项所述之电子结构,其中该阻障层之厚度为约5nm至约200nm。8.如申请专利范围第1项所述之电子结构,更进一步包含一铜种晶层(copper seed layer)在该内层之上,该铜种晶层在铜或铜合金及该内层的中间。9.一种制造一电子结构的方法,包含:在基材上形成一绝缘物质;微影化定义和形成线及/或介层洞的凹处于绝缘材料,内连导体物质在凹处被沉积;在该凹处沉积一阻障层,其中该阻障层由钨、钛、钨合金、氮化钛、钽、氮化钽、矽化钽(tantalumsilicon)所组成之群组中选出;沉积一内层,该内层由钯、铂和其混合物所组成之群组中选出,其中该内层之厚度为约50埃至约500埃;以及沉积铜或铜合金在内层之上以填满该凹处,其中该内层在该铜或铜合金及该阻障层之间。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该铜或铜合金的沉积为电化学沉积物。11.如申请专利范围第9项所述之方法,更进一步包含平坦化该结构。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中使该内层沉积的方法为溅镀法或化学气相沉积法(CVD)。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该内层为钯。14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该内层为铂。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该内层之厚度为约50埃至约100埃。16.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该介电层包含二氧化矽。17.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该介层洞之宽度为约100nm至约500nm。18.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该阻障层之厚度为约5nm至约200nm。19.如申请专利范围第9项所述之方法,更进一步包含沉积一层铜种晶层在该内层之上,该铜种晶层在铜或铜合金及该内层的中间。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该晶种层的沉积是在一无电镀槽所形成。21.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该晶种层的电沉积是在一酸性铜水溶液槽所形成。图式简单说明:依据本发明在不同阶段的制造,图1-6是概要图示结构。 |
