| 主权项 |
1.一种用于一半导体装置之蚀刻方法,其包括:在一具有一台阶之半导体装置上方产生一种蚀刻物质气体环境,该台阶包含一主表面及一侧壁;及在一方向上施加一电场来加速该等蚀刻物质并沿着以一特定角度与该方向相交之一平面施加一磁场以蚀刻该侧壁。2.如请求项1之蚀刻方法,其中该磁场沿着以一特定角度与该电场之一施加方向相交的一平面旋转,使该等蚀刻物质沿着该电场之施加方向螺旋移动。3.如请求项1之蚀刻方法,其中该电场系垂直于该台阶之主表面施加,且该磁场系沿着该台阶之主表面施加。4.如请求项1之蚀刻方法,其中该半导体装置具有由复数个突出部形成之复数个台阶,且施加磁场使得该等蚀刻物质螺旋移动并具有一比相邻突出部之间的距离更大的螺旋直径。5.一种用于一半导体装置之蚀刻方法,其包括以下步骤:在具有一台阶之半导体装置上方产生一种蚀刻物质气体环境,该台阶包含一主表面及一侧壁;及沿着以一特定角度与该主表面相交之一平面施加一电场使得该等蚀刻物质加速蚀刻该侧壁。6.如请求项5之蚀刻方法,其中施加该电场,同时将该电场平行于台阶之主表面旋转。7.如请求项5之蚀刻方法,其中该半导体装置具有由复数个突出部形成的复数个台阶。8.一种用于一半导体装置之蚀刻方法,其包括以下步骤:在该具有一台阶之半导体装置上方产生一种蚀刻物质气体环境,该台阶包含一主表面及一侧壁;及加热该等蚀刻物质及形成该侧壁之材料至一预定温度,在该温度下,该等蚀刻物质与该材料彼此反应以蚀刻该侧壁。图式简单说明:图1a及1b为示意图,展示了一种根据本发明之一实施例的蚀刻方法;图2a及2b为示意图,展示了一种根据本发明之一实施例的蚀刻方法;图3a及3b为示意图,展示了一种根据本发明之一实施例的蚀刻方法;图4a及4b为示意图,展示了一种根据本发明之一实施例的蚀刻方法;图5a及5b为示意图,展示了一种根据本发明之一实施例的蚀刻方法;图6a及6b为示意图,展示了一种根据本发明之一实施例的蚀刻方法;图7a及7b为示意图,展示了一种根据本发明之一实施例的蚀刻方法;图8为一示意图,展示了一种根据本发明之一实施例的蚀刻方法;图9为一示意图,展示了一种根据本发明之一实施例的蚀刻方法;图10a及10b为示意图,展示了一种根据本发明之一实施例的蚀刻方法;图11a及11b为示意图,展示了一种根据本发明之一实施例的蚀刻方法; |
