| 主权项 |
1.一种监控一装置制造程序的方法,包含步骤: 蚀刻放置在一制程室中的一晶圆; 由该晶圆反射光; 藉由一壁的一粗糙表面将一部份的反射光传递出 去,该壁系可供光线传送出去;以及 侦测该传送光线中一部份的强度,包含侦测该粗糙 表面传送之散射光强度。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该粗糙表面系 为一粗糙的熔凝矽石窗。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该粗糙表面系 为一放置于该制程室内部的屏幕。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻包含沉 积一层于该晶圆上。 5.一种监控一晶圆制造程序的设备,包含: 一制程室,具有一壁系可供光线传送出去,该壁具 有一粗糙表面;以及 一侦测装置,可操作以侦测一光线中一部份的强度 ,该光线系从该晶圆一表面反射而来,并且进一步 被该粗糙表面所散射。 6.如申请专利范围第5项之设备,其中该粗糙表面系 为一粗糙的熔凝矽石窗。 7.如申请专利范围第5项之设备,其中该粗糙表面系 为一放置于该制程室内部的屏幕。 8.如申请专利范围第5项之设备,进一步包含一照射 装置,可操作以照射该晶圆的表面。 图式简单说明: 图一是先前技术的干涉计测量设备的示意图。 图二图示光线被反射并且被折射以产生干涉最大 値与最小値。 图三是另一先前技术的干涉计测量设备的示意图 。 图四是另一先前技术的干涉计测量设备的示意图 。 图五是另一先前技术的干涉计测量设备的示意图 。 图六是本发明之第一实施例的示意图。 图七图示根据本发明所侦测到的干涉图形。 图八是本发明第二实施例的示意图。 图九是本发明第三实施例的示意图。 图十是本发明第四实施例的示意图。 |
