| 主权项 |
1.一种在以含有机溶剂之组成物行光阻移除或金 属蚀刻后清洁期间抑制钠吸附至积体电路表面之 方法,其包括使该表面与含有机溶剂之组成物接触 ,该组成物包括: a)1,2-二胺基环己烷四醋酸(CYDTA), b)亲质子性胺,其以组成物重量计约1至约50%之量存 在, c)不含氮的弱酸,其量足以部分中和此亲质子性胺 俾此剥除组成物当以约10份水稀释时有约9.6至约10 .9之水性pH,该弱酸在水溶液内有2.0或更高的pK値及 小于140之当量値,及 d)溶剂,其系一剥除溶剂系统,其具有自约8至约15的 溶解度参数,含量为以组成物重量计自约50%至约98% 。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其中剥除组成物 内弱酸含量为以该剥除组成物重量计的约0.05%至 约25%。 3.根据申请专利范围第2项之方法,其中弱酸有2.5或 更高的pK。 4.根据申请专利范围第3项之方法,其中弱酸系1,2- 二羟苯。 5.根据申请专利范围第4项之方法,其中亲质子性胺 为2-胺基乙醇。 6.根据申请专利范围第5项之方法,其中溶剂系统包 括为N-甲基-2-咯烷酮与四氢吩-1,1-二氧化物, 可视情况多达约10%的水。 7.根据申请专利范围第1项之方法,其以重量基计包 括:自约50%至约98%的N-甲基-2-咯烷酮,自约1%至约 20%之四氢吩-1,1-二氧化物,自约1%至约20%的水,自 约1%至约50%之2-胺基乙醇,自约0.05至约25%之1,2-二羟 苯,及约0.01至5%之1,2-二胺基环己烷四羧酸。 8.一种在以含有机溶剂之组成物行光阻移除或金 属蚀刻后清洁期间抑制钠吸附至积体电路表面之 组成物,该含有机溶剂之组成物包括: a)1,2-二胺基环己烷四醋酸(CYDTA), b)亲质子性胺,其以组成物重量计约1至约50%之量存 在, c)不含氮的弱酸,其量足以部分中和此亲质子性胺 俾此剥除组成物当以约10份水稀释时有约9.6至约10 .9之水性pH,该弱酸在水溶液内有2.0或更高的pK値及 小于140之当量値,及 d)溶剂,其系一剥除溶剂系统,其具有自约8至约15的 溶解度参数,含量为以组成物重量计自约50%至约98% 。 9.根据申请专利范围第8项之组成物,其中剥除组成 物内弱酸含量为以该剥除组成物重量计的约0.05% 至约25%。 10.根据申请专利范围第9项之组成物,其中弱酸有2. 5或更高的pK。 11.根据申请专利范围第10项之组成物,其中弱酸系1 ,2-二羟苯。 12.根据申请专利范围第11项之组成物,其中亲质子 性胺为2-胺基乙醇。 13.根据申请专利范围第12项之组成物,其中溶剂系 统包括为N-甲基-2-咯烷酮与四氢吩-1,1-二氧化 物,可视情况多达约10%的水。 14.根据申请专利范围第8项之组成物,其以重量基 计包括:自约50%至约98%的N-甲基-2-咯烷酮,自约1% 至约20%之四氢吩-1,1-二氧化物,自约1%至约20%的 水,自约1%至约50%之2-胺基乙醇,自约0.05至约25%之1,2 -二羟苯,及约0.01至5%之1,2-二胺基环己烷四羧酸。 |
