发明名称 Method for manufacturing trench-isolated FET devices
摘要
申请公布号 KR100498436(B1) 申请公布日期 2005.09.09
申请号 KR19980040275 申请日期 1998.09.28
申请人 发明人
分类号 H01L21/335;(IPC1-7):H01L21/335 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
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