| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterschaltung mit einem ersten und einem zweiten Abschnitt (I, II) eines Substrats (1), in denen jeweils eine Leistungshalbleiterschaltungsstruktur und eine Logikschaltungsstruktur gebildet sind, wobei die Metallisierung eine Leistungs-Metalllage (4) und eine vergleichsweise dünnere Logik-Metalllage (7) aufweist, die beide nur im ersten Abschnitt (I) über der Leistungshalbleiterschaltungsstruktur in dieser Reihenfolge ohne ein dazwischen liegendes Intermetalldielektrikum direkt übereinander liegen, und wenigstens zwischen der Leistungs-Metalllage (4) und der Zwischenoxidschicht (2) sowie zwischen der Leistungs-Metalllage (4) und den von ihr kontaktierten Kontaktbereichen und Elektrodenabschnitten der Leistungshalbleiterschaltungsstruktur eine ununterbrochene leitfähige Barriereschicht (3) liegt, sowie ein Herstellungsverfahren dafür. |
