IGBT-Baugruppe

摘要

Eine IGBT-Baugruppe ist aufgebaut mit einer Mehrzahl von IGBT-Zellen (100), die miteinander verbunden sind. Die IGBT-Chips (100) sind jeweils mit einer Mehrzahl von Einheitszellen (1) aufgebaut, die miteinander verbunden sind. Die Einheitszellen (1) beinhalten jeweils ein IGBT-Element (2). Die Gatespannung wird an das Gate (G) des IGBT-Elements (2) durch einen Gatekontaktfleck (3) und einen Gatewiderstand (4) von einem gemeinsamen Gateanschluss angelegt. Die Emitterspannung wird von einem gemeinsamen Emitteranschluss durch einen Emitterkontaktfleck (5) an den Emitter (E) des IGBT-Elements (2) angelegt. Die Kollektorspannung wird an den Kollektor (C) des IGBT-Elements (2) von einem gemeinsamen Kollektoranschluss angelegt. Der Gatekontaktfleck (3), der Gatetransistor (4) und der Emitterkontaktfleck (5) sind für jede der Einheitszellen (1) vorgesehen. Somit wird eine IGBT-Baugruppe erreicht, die des Unterdrückens einer Gatespannungsoszillation fähig ist ohne den Schaltverlust wesentlich zu erhöhen.