Verfahren zur Herstellung und Strukturierung eines lichtempfindlichen, hochviskosen, chemisch verstärkten, wässrig-alkalisch entwickelbaren Positiv-Photoresists

摘要

Die ständig wachsende Anzahl lithographischer Anwendungen zur Herstellung von mikroelektromechanischen Systemen in der Mikrosystemtechnik, die 100 mum und höher aufbauende Photomaterialien benötigen, können mit den herkömmlichen Positivphotoresisten nicht realisiert werden. Für diese Anwendung sind Photomaterialien erforderlich, die nicht nur hochaufbauende homogene Schichten bilden, sondern mit hoher Empfindlichkeit Strukturen mit einem guten Aspektverhältnis und vertikalen Profilen mit sehr geringer Mikrorauhigkeit bilden und nach erfolgter Strukturübertragung rückstandsfrei entfernbar sind. Es wird ein Verfahren zur Herstellung und Strukturierung eines UV300/400 lichtempfindlichen, hochviskosen, chemisch verstärkten, wässrig-alkalisch entwickelbaren Positiv-Photoresists für Anwendungen in der Mikrosystemtechnik, der anschließend rückstandsfrei entfernbar ist, beschrieben.