发明名称 Verfahren zur Herstellung eines großvolumigen CaF¶2¶-Einkristalles mit geringer Streuung und verbesserter Laserstabilität, sowie ein solcher Kristall und dessen Verwendung
摘要 Es wird ein Verfahren zur Herstellung von CaF¶2¶-Einkristallen mit minimalen Brechzahlunterschieden und einer ungewöhnlich geringen Anzahl an Kleinwinkelkorngrenzen beschrieben, die auch noch nach Tempern mit erhöhter Temperatur nur eine geringe Streuung aufweisen. Bei dem Verfahren wird ein Kristall aus einer Schmelze durch Abkühlen und anschließendes Tempern hergestellt, wobei die CaF¶2¶-Materialschmelze aus einem Material hergestellt wird, das bei einer Temperatur von mindestens 1100 DEG C in einem Vakuum bei höchstens 5 È 10·-4· mbar verdampft und bei einer Temperatur von 500-1280 DEG C kondensiert. Das Verfahren wird vorzugsweise mit bereits gebrauchten Abfallmaterial und Verschnittmaterial aus verbrauchten Schmelzversuchen durchgeführt.
申请公布号 DE102004008749(A1) 申请公布日期 2005.09.08
申请号 DE200410008749 申请日期 2004.02.23
申请人 SCHOTT AG 发明人 ORTMANN, LARS;KANDLER, JOERG;MENZEL, ANDREAS;MUELLER, MATTHIAS;PARTHIER, LUTZ;GOENNA, GORDON VON DER
分类号 G03F1/14;C30B11/00;C30B29/12;G02B1/02;G02B5/30;G03F7/20;H01L21/027;(IPC1-7):C30B29/12;C30B23/00;C30B33/02 主分类号 G03F1/14
代理机构 代理人
主权项
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