| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur (1) in einem Substrat (2), wobei die Halbleiterstruktur (1) mindestens zwei unterschiedlich zu strukturierende Bereiche (3, 4) aufweist. Nach einem Herstellen eines strukturierten ersten Bereiches (3) in dem Substrat (2), sodass die Halbleiterstruktur (1) einen nicht strukturierten zweiten Bereich (4) und den strukturierten ersten Bereich (3) aufweist, folgt ein Abscheiden einer Deckelschicht (5), welche über den strukturierten ersten Bereich (3) wächst, sodass die Deckelschicht (5) über dem strukturierten ersten Bereich (3) einen Verschluss (6) ausbildet, der den strukturierten ersten Bereich (3) zudeckelt. Daraufhin folgt ein Herstellen des strukturierten zweiten Bereiches (4), wobei der strukturierte erste Bereich (3) wenigstens von dem Verschluss (6) der Deckelschicht (5) geschützt bleibt. Abschließend erfolgt ein Entfernen der Deckelschicht (5) über der Halbleiterstruktur (1), welche nun zwei unterschiedlich strukturierte Bereiche (3, 4) aufweist.
|
