| 发明名称 | 制造半导体双极器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。 | ||
| 申请公布号 | CN1664999A | 申请公布日期 | 2005.09.07 |
| 申请号 | CN200410007873.1 | 申请日期 | 2004.03.03 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 徐嘉东;李建明;张秀兰 |
| 分类号 | H01L21/328;H01L21/265;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/328 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体双极器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||