发明名称 | 提供具有可控密度分布的带状束的离子源 | ||
摘要 | 公开了一种用于离子注入的离子源,它具有用来选择性地调节与从等离子体约束室中提取的延长离子束相关的密度分布的控制装置。此控制装置包含在延长的提取出口附近的多个磁体对,带状束通过提取出口从离子源中被提取,磁体对分别包含设置在提取口出口上方和下方的上部电磁体和下部电磁体,以便在预提取区中提供可调节的磁场,从而调节所提取的带状束的密度分布。 | ||
申请公布号 | CN1666313A | 申请公布日期 | 2005.09.07 |
申请号 | CN03815473.0 | 申请日期 | 2003.04.29 |
申请人 | 艾克塞利斯技术公司 | 发明人 | V·本维尼斯特 |
分类号 | H01J37/08 | 主分类号 | H01J37/08 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;张志醒 |
主权项 | 1.一种用来在离子注入系统中提供离子束的离子源,包含:包含纵向延伸的室壁以及纵向间隔的第一和第二端部壁的外壳,此室壁和端部壁限定一个等离子体约束室,其中借助于对源材料进行离化而产生等离子体,室壁具有形成在其中的延长的出口开口,此出口开口从等离子体约束室中的预提取区径向延伸通过室壁到达外壳的外部,且通过其从等离子体约束室中提取离子束;用来在等离子体约束室中感应离化电场的激发装置;以及位于预提取区附近的密度分布控制装置,此密度分布控制装置包含彼此纵向彼此间隔的多个磁体对,并在出口开口附近的预提取区中提供可单独调节的磁场,以便选择性地调节与从等离子体约束室中提取的延长离子束相关的密度分布。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |