发明名称 晶片的磨削装置及磨削方法
摘要 在一边使厚度计测用的检测端子与被加工物接触地计测该被磨削物的厚度、一边进行磨削的场合,防止从磨削砂轮脱落的磨粒划伤晶片及厚度计测用的检测端子。在用磨削砂轮(33)磨削保持在卡盘台(2)上的晶片(W)的同时,将检测端子(50)与晶片(W)的磨削面接触地计测晶片(W)的厚度的场合,向检测端子(50)与晶片(W)的接触部(50a)供给清洗水(53),将由磨削砂轮(33)脱落的磨粒(33a)从该接触部(50a)清除。
申请公布号 CN1664993A 申请公布日期 2005.09.07
申请号 CN200510052433.2 申请日期 2005.02.28
申请人 株式会社迪思科 发明人 佐藤吉三;三浦修
分类号 H01L21/304;B24B37/00;B24B1/00 主分类号 H01L21/304
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 何腾云
主权项 1.一种磨削装置,至少设有:可保持着晶片转动的卡盘台、包含对保持在该卡盘台上的晶片进行磨削的磨削砂轮的磨削机构、和厚度检测机构,所述厚度检测机构的检测端子与保持在该卡盘台上的晶片的磨削面相接触地计测该晶片的厚度;其特征在于,配置了向该检测端子与该晶片的接触部供给清洗水的清洗水喷嘴。
地址 日本东京都