发明名称 |
降低铜制程化学机械研磨的缺陷与研浆残留的方法 |
摘要 |
一种降低铜制程化学机械研磨的缺陷与研浆残留的方法。此方法包含,利用研浆进行晶片研磨,再利用去离子水研磨及清洗晶片的表面,再将晶片升起,以去离子水由下向上的方向清洗晶片的表面消除晶片表面的研浆残留,降下晶片并利用去离子水再次研磨及清洗晶片。本发明的方法,大幅降低铜制程的化学机械研磨制造方法中的研浆残留的问题,使得生产品质大幅的提高,生产的成本因而降低,产量得以大幅的提高。 |
申请公布号 |
CN1218369C |
申请公布日期 |
2005.09.07 |
申请号 |
CN02119353.3 |
申请日期 |
2002.05.13 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈启群;张文;陈世昌 |
分类号 |
H01L21/304;H01L21/768;C09K3/14;C09K15/04 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
赵蓉民;王刚 |
主权项 |
1.一种降低铜制程化学机械研磨的缺陷与研浆残留的方法,该方法适合用于化学机械研磨机台进行晶片的全面平坦化制造过程中,该方法至少包含:利用研浆进行该晶片研磨;利用去离子水第一次研磨及清洗该晶片;升起该晶片;利用去离子水由下向上的方向清洗该晶片;降下该晶片;及利用去离子水第二次研磨及清洗该晶片。 |
地址 |
中国台湾 |