发明名称 | 复杂图案的相移掩膜 | ||
摘要 | 为了扩展相移技术的使用,为实现用于集成电路的层中的复杂布置的掩膜提供了技术,除了选定关键尺寸的器件,例如晶体管门,而在过去局限于这种结构。该方法包括:辨识可应用相移的器件,自动绘出用于完成这些器件的相移区,解决根据给定设计规则可能发生的相位冲突,将相移区内的辅助解决辅助器件以及光学近似校正器件应用于相移区。为完成层的布置所需的所有不透明区相移掩膜和补充二元掩膜都被制造出来,这些掩膜限定出内连结构和未用相移限定的其它类型的结构。 | ||
申请公布号 | CN1218217C | 申请公布日期 | 2005.09.07 |
申请号 | CN00819729.6 | 申请日期 | 2000.11.28 |
申请人 | 数字技术公司 | 发明人 | 克里斯托弗·皮拉特 |
分类号 | G03F1/00;G03F1/14 | 主分类号 | G03F1/00 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 肖鹂;陈小雯 |
主权项 | 1.一种方法,包括:布置相移区来产生具有相移区的相移掩膜以限定器件,所述相移区具有侧边,所述侧边与其它相移区的补充侧边一起限定用于定义相应器件的相变;和对相移掩膜中的一个或多个相移区进行调整,其中,所述调整将所述一个或多个相移区分成两个或更多个相移区,并且包括不透明的器件,该不透明的器件与限定用于定义相应器件的相变的所述侧边不接触。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |