基于Ⅲ族氮化物的半导体基片及其制造方法

摘要

为了提供一种具有较小扭曲的III族氮化物半导体基片，本发明提供了一种方法，该方法包括如下步骤：在蓝宝石衬底31上，外延生长具有GaN低温生长缓冲层的GaN层33；从由生长反应器中取出的基片上去除该蓝宝石衬底31、GaN缓冲层32和一小部分GaN层33，从而获得自承重GaN基片35；并且然后，通过在NH₃气氛、1200℃下，将该GaN基片35放入电炉中对其进行热处理24小时；这导致自承重GaN基片35的扭曲明显减小，使得其正面和反面的位错密度为4×10⁷cm^-2和8×10⁵cm^-2，从而很好地控制这种低位错密度比值为50。

主权项

1.一种基于III族氮化物的半导体基片，其为自承重基片；其特征在于当将其位错密度较低一侧表面的位错密度设为n1，并且将其位错密度较高一侧表面的位错密度设为n2时，其n2/n1的比值在5≤n2/n1≤250的范围内。