半导体器件

摘要

在用激光辐照退火来制作半导体器件中，同时使线状激光沿垂直于一条直线的方向扫描，来完成对半导体材料的退火。在此状态下，因为在对应于一条直线方向的光束横的方向上的退火效果与扫描方向上的退火效果有2倍以上的差异，使多个半导体元件沿线状激光辐照的一直线方向形成。另外，使连接薄膜晶体管的源和漏区的一直线方向与线状激光的线条方向对准。

主权项

1.一种半导体器件，包括在衬底上形成的至少第一和第二薄膜晶体管，所述第一和第二薄膜晶体管分别包括：一个晶体半导体膜，在绝缘表面上形成；一个沟道区，在所述晶体半导体膜中形成，源区和漏区，在所述晶体半导体膜中，其中载流子流经所述源区与漏区之间的所述沟道区；一个栅绝缘膜，形成在所述沟道区上；和一个栅电极，形成在所述绝缘膜上；其特征在于，所述沟道区的折射率沿垂直于载流子流动方向的方向的变化速度为沿载流子流动方向的两倍以上。