抛光垫及其使用方法

摘要

化学修饰制造半导体器件用的晶片的方法，包括(1)使晶片表面与在整个表面上包含许多重复单元的制品(10)接触，每个单元(12)至少包含三维结构(20)的一部分，其特点是单元参数如下：[(V₁-Vs)/Aas]/√Auc＞5，其中V₁是单元面积乘以单元结构的高度得到的体积，Vs是单元结构的体积，Aas是单元结构的表观接触面积，Auc是单元的面积；(2)在抛光组合物存在的条件下，至少相对移动晶片和所述制品中的一个，所述抛光组合物能与晶片表面发生化学反应，从而能提高或者降低去除至少一部分晶片表面的速度。

主权项

1.一种化学修饰适于制造半导体器件的晶片的方法，其特征在于所述方法包括：(1)使晶片表面与整个表面上包含许多重复单元的制品接触，每个单元至少包含三维结构的一部分，其特点是有单元参数，(2)在抛光组合物存在的条件下，至少相对移动晶片和所述制品中的一个，所述抛光组合物能与晶片表面发生化学反应，从而能提高或者降低去除至少一部分晶片表面的速度，其中，单元参数为 [(V1-Vs)/Aas]/√Auc＞5或 [(V1-Vs)/Aas]/√Auc＞1，且所述三维结构不含无机磨粒，其中，V1是单元面积乘以单元结构的高度得到的体积， Vs是单元结构的体积， Aas是单元结构的表观接触面积， Auc是单元的面积